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1. apu发展史
2. 核钻石电池概念什么时候提出来
3. 芯片28纳米是哪年
4. r55600还能用几年
5. 芯片纳米水平发展历史
6. 28纳米芯片是什么时候的技术
7. 180nm芯片是哪一年出来的

APU（Accelerated Processing Unit）是一种融合了处理器和显卡核心的芯片，它的出现可以提高计算机的性能和能效。以下是APU发展史的概述：

1. 2009年：AMD推出了首款APU，名为Fusion。Fusion是一种融合了CPU和GPU核心的芯片，它的出现标志着APU时代的开始。

2. 2011年：AMD推出了第一代APU，名为Llano。Llano采用了AMD的Trinity架构，集成了AMD的GCN架构的GPU，可以提供出色的图形性能。

3. 2012年：AMD推出了第二代APU，名为Trinity。Trinity采用了28纳米制程工艺，集成了AMD的GCN架构的GPU和CPU核心，可以提供出色的性能和能效。

4. 2015年：AMD推出了第三代APU，名为Kaveri。Kaveri采用了28纳米制程工艺，集成了AMD的GCN架构的GPU和CPU核心，同时还支持虚拟化技术和高级安全功能。

5. 2016年：AMD推出了第四代APU，名为Carrizo。Carrizo采用了14纳米制程工艺，集成了AMD的GCN架构的GPU和CPU核心，同时还支持高级图形和视频编码技术。

6. 2017年：AMD推出了第五代APU，名为Ryzen。Ryzen采用了14纳米制程工艺，集成了AMD的GCN架构的GPU和CPU核心，同时还支持高级虚拟化和人工智能技术。

7. 2019年：AMD推出了第七代APU，名为Bristol Ridge。Bristol Ridge采用了14纳米制程工艺，集成了AMD的GCN架构的GPU和CPU核心，同时还支持高级虚拟化和人工智能技术。

总的来说，APU的发展历程可以看作是从最初的Fusion到现在的Bristol Ridge，技术不断升级，性能不断提高，能效不断优化，已经成为现代计算机中不可或缺的一部分。

2016年11月25日

布里斯托大学卡博特研究所提出了核电池概念的名称。2023年马斯克推出了令人震惊的黑科技-核钻石电池！根据埃隆·马斯克的说法，这款核电池尚处研发阶段，距离成功已经非常接近，它将成为电池市场游戏规则的改变者。

据称核钻石电池的使用寿命预计最长达2万8千年，这意味着可以从根本上改变全球电器的使用方式。众所周知，核能有近乎无穷能量，也是一个清洁能源，但是如果真的实现，你和你子子孙孙穷极一生都不用给汽车充电。

放射性核钻石研究最初是由布里斯托大学物理化学的一个科学家团队进行。这项发明是作为一种β辐射电转换设备提出，这是由核废料的β衰变来提供动力，当一个原子的原子核释放过量粒子以获得更稳定的质子和中子时就会发生，这产生了β辐射的电离辐射。其中涉及被大量称为β粒子的高速和高能粒子。β粒子的核能可通过半导体转化为电能。

随着纳米技术的加入，一家名叫nano diamond battery NDB的美国公司打造出一个高功率的纳米钻石电池。该公司总部位于加尼福尼亚旧金山，2012年成立，他们目标是创造一种更清洁、更环保的电池替代品。2016年他们推出了一个基于钻石的新电池，并在2020年进行两次概念验证测试，试图进行核电池的实验。

NDB的核电池是一种阿尔法-贝塔以及中子辐射电池，根据资料显示，这种电池寿命高达两万八千年，这完全可以为空间站、宇宙飞船、卫星等提供动力。如果成功还将可以用于地面上的汽车和天上飞机，这些交通工具永远都不需要充电。当然安全性才是阻碍人们对核电池渴望的最大原因。但是NDB电池使用了钻石，这是世界上导热性能最好的材料之一，这有助于保护电池中的放射性同位素所产生的热量而迅速变成电流。

这款电池天生具有良好的市场友好性，其中的PCD薄膜层可使电池有不同形状和形式。这样它完全可以适合不同市场的具体应用。这种钻石是添加了核废料的人造纳米钻石，当与提取的核废料放射性元素进行混合后，几平方毫米的单晶钻石就可以实现把热量从放射性衰变的同位素中移除，在能量的快速传递中产生电能。

马斯克极具个人魅力，他主导了未来五大科技公司，他致力研究核钻石电池是为了推动特斯拉改变市场电池方面的游戏规则。中国需要大量这样的马斯克人才，目前我们的企业家和马斯克不一样，他们似乎更喜欢研究菜市场而非最新科技，如果这种局面不能从……

28纳米芯片技术是2012年的，也就是九年前的， 2012年AMD和NVIDIA首次纷纷发布了他们基于台积电28纳米制造工艺的新一代产品，南方群岛架构GCN以及开普勒架构从那一刻开始便展开了长达2年的漫长战斗，基于28纳米高工艺的新一代GPU芯片已经随着时间而逐渐走向成熟。

R55600是一款Intel Core i5处理器，发布于2012年，采用22纳米制程工艺，主频为2.6GHz，拥有4核心4线程。虽然这款处理器在发布时表现不俗，但由于现在软件的需求越来越高，所以使用时间已经相对较长。考虑到软件的更新换代速度，以及硬件的老化和性能的下降，预计R55600还能用1-2年，但在高性能需求的场景下可能会出现卡顿等问题。建议及时升级处理器或更换整机。

1.2001年,当时的芯片制程工艺是130纳米,我们那时候用的奔腾3处理器,就是130纳米工艺。

2.2004年,是90纳米元年,那一年奔腾4采用了90纳米制程工艺,性能进一步提升。 而当时能达到90纳米制成工艺的厂家有很多,比如英特尔,英飞凌,德州仪器,IBM,以及联电和台积电。

3.2012年制程工艺发展到22纳米,此时英特尔,联电,联发科,格芯,台积电,三星等,世界上依旧有很多厂家可以达到22纳米的半导体制程工艺。2015年成了芯片制成发展的一个分水岭,当制程工艺进入14纳米时。

28纳米芯片技术是指制造芯片的制程尺寸为28纳米的技术。这一技术在半导体行业中首次出现于2008年，由台积电率先推出。28纳米芯片技术相对于之前的制程尺寸更小，能够提供更高的集成度和更低的功耗。它为计算机、手机、平板电脑等电子设备的性能提升提供了基础。然而，随着技术的不断进步，28纳米芯片技术已经逐渐被更先进的制程尺寸所取代，如16纳米、10纳米甚至更小的制程尺寸。

28纳米芯片制程工艺是在2008年引入的，并在之后几年内逐渐成为主流技术。在过去的几年中，28纳米芯片在电子设备中得到了广泛应用，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。然而，随着技术的发展，更先进的制程工艺如14纳米、7纳米等已经取代了28纳米成为新的主流技术。

芯片制程：

1971年10微米；（英特尔推出4004处理器）

1974年6微米；

1978年3微米（1978年美国第一台g线光刻机DSW4800）

1982年1.5微米；

1985年1微米（1985年中国第一台g线光刻机）

1987年800纳米；

1990年600纳米；

1993年350纳米；

1996年250纳米；

1999年180纳米；

2001年130纳米；

2003年90纳米；（asml与台积电联合制造的样机沉浸式光刻机TAT：1150i）

2005年65纳米；

2007年45纳米；（asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT：1900i）

2009年32纳米；

2012年22纳米；

2014年14纳米；（2013年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用）

2016年10纳米；

2018年7纳米；

2020年5纳米。